[发明专利]激光加工设备和激光加工方法有效
| 申请号： | 200610148535.9 | 申请日： | 2006-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1967783A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 田村宗生;藤井哲夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/268;H01L21/78;B23K26/04;B23K26/08;B28D5/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王琼 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 激光加工设备具有能够同时发射具有两个波长(λa和λb)的激光束(La和Lb)的一个激光源(SLa)。激光束(La和1b)在晶片(10)中的聚焦点(Pa和Pb)的深度位置逐渐改变。三组改质区群(Ga1、Gb1、Ga2、Gb2、Ga3、Gb3)即六层改质区群连续形成。改质区群的一组构成两层并且一次形成。改质区群从晶片的表面(10b)开始沿着晶片的预定切割线(K)顺着深度方向彼此分开、邻接或重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 加工 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种向晶片中的聚焦点发射激光束从而通过晶片中的多光子吸收而形成改质区的激光加工设备，该设备包括：用于同时产生和发射具有多个波长的激光束的一个激光源；和用于使激光源发射的激光束会聚在聚焦点上的一个聚光透镜，其中，具有多个波长的激光束同时从晶片表面向内部的多个聚焦点发射，以同时沿着晶片的预定切割线形成多个改质区，这些改质区从晶片表面沿深度方向间隔布置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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