[发明专利]激光诱导热成像法和采用其的有机发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 200610148550.3 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1982076A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 鲁硕原;杨南喆;李在濠;宋明原;郭鲁敏 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | B41M5/382 | 分类号： | B41M5/382;B41M5/40;H01L21/00;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光诱导热成像方法以及采用该方法的有机发光二极管的制造方法，其中可以利用磁力有效地层压供体膜和受体基板。该激光诱导热成像方法包括：在处理室的基板台上设置受体基板，其中第一磁体形成在该受体基板的一个表面中；在该受体基板上设置包括第二磁体的供体膜；利用作用在该第一和第二磁体之间磁力来层压该供体膜和该受体基板；和通过在该供体膜上扫描激光将成像层的至少一个区域转移到该受体基板上。该激光诱导热成像方法改善了供体膜和受体基板之间的粘附力，从而改善了有机发光二极管的寿命、产量和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 诱导 成像 采用 有机 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种激光诱导热成像方法，包括：在处理室的基板台上设置受体基板，其中，第一磁体形成在该受体基板的至少一个表面中；在该受体基板上设置包括第二磁体的供体膜；利用作用在该第一和第二磁体之间的磁力，层压该供体膜和该受体基板；和通过在该供体膜上扫描激光，将成像层的至少一个区域转移到该受体基板上。
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