[发明专利]包括扩散阻挡层的磁致电阻器件无效
| 申请号： | 200610148660.X | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101017667A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 尹成龙;李在喆;金庸洙;吴薰翔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11C11/15;G01R33/09;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁致电阻器件，具有衬底、衬层、磁致电阻结构、以及扩散阻挡层。该衬层形成在该衬底上。该磁致电阻结构形成在该衬层上。该扩散阻挡层形成在该衬层和该磁致电阻结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 扩散 阻挡 致电 器件 | ||
【主权项】：
1.一种磁致电阻器件，具有衬底、形成在该衬底上的衬层、以及形成在该衬层上的磁致电阻结构，该磁致电阻器件包括：扩散阻挡层，形成在该衬层和该磁致电阻结构之间。
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