[发明专利]抗反射膜和曝光方法无效
申请号: | 200610148672.2 | 申请日: | 2006-09-06 |
公开(公告)号: | CN1952788A | 公开(公告)日: | 2007-04-25 |
发明(设计)人: | 松泽伸行;渡辺阳子;布恩塔里卡·桑纳卡特;小泽谦 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B1/00;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在抗蚀剂层和形成在硅衬底表面上的氧化硅层之间提供抗反射膜,用于在具有190nm到195nm波长和0.93到1.2数值孔径NA的曝光系统中曝光抗蚀剂层。假设组成抗反射膜的上层和下层的复折射率分别是N1(=n1-k1i)和N2(=n2-k2i),并且两层的厚度为d1和d2,则当选择[n10、k10、d10、n20、k20、d20]的值的预定组合时,n1、k1、d1、n2、k2、和d2满足关系式{(n1-n10)/(n1m-n10)}2+{(k1-k10)/(k1m-k10)}2+{(d1-d10)/(d1m-d10)}2+{(n2-n20)/(n2m-n20)}2+{(k2-k20)/(k2m-k20)}2+{(d2-d | ||
搜索关键词: | 反射 曝光 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610148672.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:波浪式涂覆方法和相关装置
- 下一篇:一种固件升级方法及系统