[发明专利]半导体存储装置无效

专利信息
申请号: 200610148683.0 申请日: 2006-08-02
公开(公告)号: CN1956098A 公开(公告)日: 2007-05-02
发明(设计)人: 新居浩二;大林茂树;塚本康正;薮内诚 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: G11C8/08 分类号: G11C8/08;G11C11/408;G11C11/415
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 浦柏明;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 对应于各字线设置根据存储器单元晶体管的阈值电压的变动来调整字线选择时的电压电平的电平移动元件。该电平移动元件降低驱动器电源电压,并向选择字线上传输。另外,代替该电平移动元件,也可以设置根据存储器单元晶体管的阈值电压电平来下拉字线电压的下拉元件。在任何一种情况下,都能够根据存储器单元晶体管的阈值电压的变动,不使用另外的电源系统来调整选择字线电压电平,无需使电源系统复杂化,即使在低电源电压下也能够实现可稳定地进行数据的写入/读出的半导体存储装置。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,具有:成矩阵状排列的多个静态型存储器单元;对应于各所述存储器单元行配置的、分别连接对应行的存储器单元的多个字线;以及与各所述字线对应配置的、根据字线选择信号将对应的字线驱动到选择状态的多个字线驱动器,各所述字线驱动器具有将驱动器电源节点的电压电平移动到比所述驱动器电源节点的电压低的电压电平的电平移动元件,在对应的字线被选择时,将对应的字线通过该电平移动元件驱动到实施了电平移动后的电压电平。
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