[发明专利]0.8微米CMOS工艺有效
| 申请号： | 200610148731.6 | 申请日： | 2006-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101211850A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孙家雄 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种0.8微米CMOS工艺，该工艺流程制作双层多晶硅层、双重硅栅层、以及双层金属层。本发明的CMOS制作工艺采用双层多晶之间界质作电容的工艺，同时以第一层多晶作为浮栅，节省了EPROM所须占用的面积，节省了成本，尤其是这种结构的储存器耐久性大幅度提高。双阱注入工艺使得ESD静态电压测试达到8000伏。 | ||
| 搜索关键词： | 0.8 微米 cmos 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种0.8微米CMOS工艺，其特征在于，所述工艺流程制作双层多晶硅层、双重硅栅层、以及双层金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
