[发明专利]沉浸式光刻系统的投影系统无效
| 申请号： | 200610148822.X | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211121A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈国庆;肖德元;邢溯;杨勇胜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种沉浸式光刻系统的投影系统，包括：投影透镜；液体池；液体供给装置；气液体喷淋装置以及衬底传送装置。所述气液体喷淋装置包括输入载流气体的第一输入端、输入异丙醇的第二输入端及输出来自第一输入端的载流气体和来自第二输入端的异丙醇的混合气液体的输出端，所述载流气体为氮气或者惰性气体。本发明通过在投影系统上的气液体喷淋装置设置不同输入端，分别通入载流气体和异丙醇以限制液体供给装置在投影透镜和位于半导体衬底上的高分子聚合物层之间的液体池，由于异丙醇为疏水性，把半导体衬底上的高分子聚合物层转变为疏水性，使得硅片在移动速度即扫描速度增加，从而提高生产能力。 | ||
| 搜索关键词： | 沉浸 光刻 系统 投影 | ||
【主权项】：
1.一种沉浸式光刻系统的投影系统，包括：投影透镜，用于把掩模版的图形按比例缩小投影到半导体衬底上的高分子聚合物层；液体池，位于投影透镜的曝光场中，作为投影透镜的曝光媒介；液体供给装置，位于投影透镜的两侧，用于提供液体池；气液体喷淋装置，位于液体供给装置的外围，用于形成气体帘限制液体池的液体外流；衬底传送装置，位于气液体喷淋装置、液体供给装置以及液体供给装置产生的液体池下，用于装载和传送半导体衬底，所述衬底传送装置上的半导体衬底上形成有高分子聚合物层；其特征在于，所述气液体喷淋装置包括输入载流气体的第一输入端、输入异丙醇的第二输入端及输出来自第一输入端的载流气体和来自第二输入端的异丙醇的混合气液体的输出端，所述载流气体为氮气或者惰性气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610148822.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用燃料电池废热驱动空调的方法
- 下一篇：注射压缩模制设备
