[发明专利]防止有机底部防反射层上缺陷形成的方法无效
| 申请号： | 200610148823.4 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211778A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张雷;姚欣;单朝杰;陈杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种防止有机底部防反射层上缺陷形成的方法，包括下列步骤：在晶圆上形成有机底部防反射层；将晶圆在空气中放置，其中放置时间小于等于8小时；在有机底部防反射层上形成光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影；将晶圆在空气中放置，其中放置时间小于等于48小时；以光刻胶为掩膜，刻蚀有机底部防反射层。经过上述步骤，有机底部防反射层表面不会产生颗粒，进而实现在刻蚀有机底部防反射层下方的膜层时不会产生残留。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 有机 底部 反射层 缺陷 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止有机底部防反射层上缺陷形成的方法，其特征在于，包括下列步骤：在晶圆上形成有机底部防反射层；将晶圆在空气中放置，其中放置时间小于等于8小时；在有机底部防反射层上形成光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影；将晶圆在空气中放置，其中放置时间小于等于48小时；以光刻胶为掩膜，刻蚀有机底部防反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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