[发明专利]高矩形比磁性一维纳米线阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200610148828.7 | 申请日： | 2006-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101016650A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 姜海波;李春忠;赵尹;刘秀红;胡彦杰 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C30B30/02 | 分类号： | C30B30/02;C25D5/02;H01F41/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟;郑玮 |
| 地址： | 200237*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高矩形比磁性一维纳米线阵列的制备方法，包括如下步骤：将多孔氧化铝模板采用脉冲的电源电压在电镀液中进行电镀沉积，电镀沉积时间为5～50分钟，即获得所说的高矩形比磁性一维纳米线阵列。采用本发明的方法制备的磁性一维纳米线阵列，矩形比(剩磁比)大于90％，矫顽力为500～2000Oe。本发明操作过程简单，并且完全避免了直流沉积的缺点和交流沉积的缺点，不但可以提高矩形比(剩磁比)和矫顽力，同时可以兼顾纳米线阵列生长的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 矩形 磁性 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高矩形比磁性一维纳米线阵列的制备方法，包括如下步骤：将多孔氧化铝模板采用脉冲的电源电压在电镀液中进行电镀沉积，电镀沉积时间为5～50分钟，即获得所说的高矩形比磁性一维纳米线阵列。
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