[发明专利]一种复合型的场效应晶体管结构

摘要

本发明揭示了一种复合型的场效应晶体管结构，它包括：横向双扩散N型金属氧化物场效应管(NLDMOS)和N型结型场效应管(NJFET)。本发明也揭示了一种复合型场效应管的制造方法，它包含：将N型外延(102)内的N+扩散层(112)形成所述NLDMOS和所述NJFET共同的漏区，并且将所述N型外延(102)的所述N+扩散层(112)形成连接电极作为所述NLDMOS和所述NJFET共同的漏极。采用本发明的所述结构和制造方法，可有效降低芯片面积，不仅能提供NLDMOS的栅极初始电压，还可有效关断NLDMOS，从而极大地降低功耗。

主权项

1.一种场效应晶体管结构，其特征在于，它包含：横向双扩散金属氧化物场效应管(LDMOS)和结型场效应管(JFET)，所述的LDMOS和所述的JFET均有各自的源区和栅区，并且所述的LDMOS和所述的JFET共用相同的漏区。