[发明专利]改进的CPL掩模及其制造方法和程序产品无效
| 申请号： | 200610149215.5 | 申请日： | 2006-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1936701A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | J·F·陈;D·－F·S·徐;D·范登布罗克;J·C·帕克;T·莱迪格 | 申请（专利权）人： | ASML蒙片工具有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种掩模制造方法，该掩模用于印制包含多个特征的图形。该方法包括步骤：获得代表多个特征的数据；和通过蚀刻衬底形成台面并在上述台的整个上表面上沉积铬层来形成至少所述多个特征之一，其中上述台面具有预先确定的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 cpl 及其 制造 方法 程序 产品 | ||
【主权项】：
1.一种掩模制造方法，该掩模用于印制包含多个特征的图形，上述方法包括步骤：获得代表上述多个特征的数据；和通过蚀刻衬底形成台面并在上述台面的整个上表面上沉积铬层来形成至少所述多个特征之一，其中上述台面具有预先确定的高度。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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