[发明专利]纳米晶硅量子点存储设备无效
| 申请号： | 200610149227.8 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1967795A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李庭凯;许胜藤;L·H·斯特克 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/49;H01L27/115;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 已经提供一种纳米晶硅量子点子存储设备和相关的制造方法。该方法包括：形成覆盖在硅基片有源层上的栅(隧道)氧化物层；形成覆盖在栅氧化物层上的纳米晶硅存储薄膜；包括多晶硅(poly－Si)/二氧化硅层；形成覆盖在纳米晶硅存储薄膜上的控制氧化硅层；形成覆盖在控制氧化物层上的栅电极；并且，形成硅有源层中的源/漏区域。一方面，通过用化学气相沉积(CVD)过程沉积一层非晶硅(a－Si)而形成纳米晶硅存储薄膜，并且热氧化非晶硅层的一部分。通常，重复非晶硅沉积和氧化过程，形成多个多晶硅/二氧化硅层叠(即，2到5个多晶硅/二氧化硅层叠)。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 量子 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一种制造纳米晶硅(Si)量子点存储设备的方法，该方法包括：形成覆盖在硅基片有源层上的栅极氧化物层；形成覆盖在栅极氧化物层上的纳米晶硅存储薄膜，包括多晶硅(poly-Si)/二氧化硅层；形成覆盖在纳米晶硅存储薄膜上的控制氧化硅层叠；形成覆盖在控制氧化物层上的栅电极；并且，形成硅有源层中的源/漏区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
