[发明专利]相变化存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200610149343.X | 申请日： | 2006-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1976083A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种相变化存储单元，其包括第一与第二电极，其具有大致共平面的表面、并被一间隙所分隔，以及相变化导桥，其电连接至第一与第二电极。此相变化导桥可延伸在大致共平面的表面上、并延伸横跨此间隙。此相变化导桥具有较高变化温度导桥部分以及较低变化温度部分。此较低变化温度部分包括相变化区域，其可在低于此较高变化温度部分的温度下，从大致结晶态变化至大致非晶态。本发明同时公开一种用以制造相变化存储单元的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储单元，此存储单元为相变化存储元件的一部分，该相变化存储单元包括：第一与第二电极，其具有大致共平面的表面并被一间隙所分隔；相变化导桥，其电连接至该第一与第二电极；该相变化导桥的至少一区块包括较高变化温度部分以及较低变化温度部分；以及该较低变化温度部分包括相变化区域，其可通过在其中通过电流而在低于该较高变化温度部分的温度下，从大致结晶态变化至大致非晶态。
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