[发明专利]布图设计方法和布图设计工具无效
申请号: | 200610149365.6 | 申请日: | 2006-11-17 |
公开(公告)号: | CN1976031A | 公开(公告)日: | 2007-06-06 |
发明(设计)人: | 依田健一 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L21/822;G06F17/50 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在具有如下阱的半导体集成电路的布图设计中减小了设计时间(TAT),所述阱被提供有不同于衬底电位的电位。本发明的布图设计方法包括:制备在第一导电类型的半导体衬底上布置的第一单元图形,制备具有第二导电类型的深阱的第二单元图形,在第一电路区中布置第一单元图形,以及在不同于第一电路区的第二区中布置第二单元图形。这减小了芯片设计中的TAT。 | ||
搜索关键词: | 设计 方法 工具 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路的布图方法,包括:制备具有第一晶体管的第一单元图形;制备具有第二晶体管和第二晶体管下面的深阱的第二单元图形;在作为半导体衬底的衬底电位区的区域中布置第一单元图形;以及在作为半导体衬底的隔离阱区的区域中布置第二单元图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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