[发明专利]布图设计方法和布图设计工具无效

专利信息
申请号: 200610149365.6 申请日: 2006-11-17
公开(公告)号: CN1976031A 公开(公告)日: 2007-06-06
发明(设计)人: 依田健一 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L21/822;G06F17/50
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在具有如下阱的半导体集成电路的布图设计中减小了设计时间(TAT),所述阱被提供有不同于衬底电位的电位。本发明的布图设计方法包括:制备在第一导电类型的半导体衬底上布置的第一单元图形,制备具有第二导电类型的深阱的第二单元图形,在第一电路区中布置第一单元图形,以及在不同于第一电路区的第二区中布置第二单元图形。这减小了芯片设计中的TAT。
搜索关键词: 设计 方法 工具
【主权项】:
1.一种半导体集成电路的布图方法,包括:制备具有第一晶体管的第一单元图形;制备具有第二晶体管和第二晶体管下面的深阱的第二单元图形;在作为半导体衬底的衬底电位区的区域中布置第一单元图形;以及在作为半导体衬底的隔离阱区的区域中布置第二单元图形。
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