[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 200610149398.0 | 申请日： | 2006-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1971841A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 相原友明 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;F26B5/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐恕 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过处理液来对基板进行处理的基板处理装置，上述装置包括：处理槽，其存积处理液，并使基板浸渍在处理液中，来对基板进行处理；腔室，其包围上述处理槽的周围；供给部，其向上述腔室内供给含有有机溶剂的惰性气体；升降机构，其在支承基板的状态下，经上述处理槽的处理位置和上述腔室内的上述处理槽上方的待机位置而进行升降；槽温度调节部，其对上述处理槽进行温度调节；腔室温度调节部，其对上述腔室进行温度调节；控制部，其至少在从上述供给部供给含有有机溶剂的惰性气体期间，使上述槽温度调节部以及腔室温度调节部进行加热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，通过处理液来对基板进行处理，其特征在于，上述装置包括：处理槽，其存积处理液，并使基板浸渍在处理液中，来对基板进行处理；腔室，其包围上述处理槽的周围；供给机构，其向上述腔室内供给含有有机溶剂的惰性气体；升降机构，其在支承着基板的状态下，经上述处理槽的处理位置、和上述腔室内的上述处理槽上方的待机位置而进行升降；槽温度调节机构，其对上述处理槽进行温度调节；腔室温度调节机构，其对上述腔室进行温度调节；控制机构，其至少在从上述供给机构供给含有有机溶剂的惰性气体的期间，使上述槽温度调节机构以及上述腔室温度调节机构进行加热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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