[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610149412.7 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1972044A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 白好善;司空坦;孙重坤;李成男 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00;H01L27/12;H01L21/20;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有改善的表面形貌特性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：r面蓝宝石衬底；AlxGa(1－x)N(0≤x＜1＝缓冲层，在900－1100℃的温度下在包含氮气(N2)的气体环境下，在r面蓝宝石衬底上外延生长至100－20000的范围的厚度；以及第一a面GaN层，形成于缓冲层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：r面蓝宝石衬底；AlxGa(1-x)N(0≤x＜1)缓冲层，在900-1100℃的温度下在包含N2的气体环境下，在所述r面蓝宝石衬底上外延生长至100-20000的范围的厚度；以及第一a面GaN层，形成于所述缓冲层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610149412.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储媒体处理方法、存储媒体处理装置以及程序
- 下一篇：全补偿圆锥滚柱轴承
