[发明专利]抗硫化银基涂层及其沉积方法和其使用有效
| 申请号： | 200610149438.1 | 申请日： | 2006-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1966260A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 丹尼斯·卡梅尔;劳伦特·比德尔;弗雷德里克·桑切特;锡德里克·杜克罗丝 | 申请（专利权）人： | 原子能委员会 |
| 主分类号： | B32B15/04 | 分类号： | B32B15/04;B32B33/00;B32B5/14;C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抗硫化银基涂层及其沉积方法和其使用。通过从涂层自由表面到10nm与1μm之间、优选100nm与1μm之间的深度形成银、氧和可能存在于材料中的一种或多种可氧化合金元素的浓度梯度，银基材料涂层的抗硫化性进一步提高。因此，该涂层包括由银基材料制成的一个主层和一个氧化薄膜的叠层。具有包括在10nm与1μm之间的厚度的薄膜具有从薄膜与主层之间的界面到薄膜自由表面之间降低的银浓度梯度。通过两个连续的物理气相沉积步骤且更具体而言通过磁控阴极溅射可以实现在支持物上沉积该涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化 涂层 及其 沉积 方法 使用 | ||
【主权项】：
1、一种银基材料涂层，包括一主层(1)和一氧化薄膜(2)的叠层，其特征在于所述氧化薄膜(2)具有包括在10nm与1μm之间的厚度，且呈现从所述薄膜(2)与所述主层(1)之间的界面到所述薄膜(2)的自由表面(2a)降低的银浓度梯度。
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