[发明专利]半导体器件的衬底及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的衬底及其制备方法，在一个实施例中，该衬底包括在单个叠层中彼此结合的多个绝缘体上半导体(SOI)晶片。该叠层的末端包括具有第一半导体层的第一SOI区，第一半导体层具有厚度和第一表面取向。该单个叠层的表面还可以包括非SOI区和/或至少一个第二SOI区。该非SOI区可以包括延伸通过单个叠层的所有绝缘层的体硅，且具有与第一硅层不同的厚度。每个第二SOI区具有第二半导体层，第二半导体层具有与第一半导体层不同的厚度和/或与第一表面取向不同的表面取向。由此衬底允许在可以包括不同的表面取向和/或不同的厚度和/或不同的体硅或SOI结构的最佳衬底区域上形成不同的器件。

主权项

1、一种半导体器件的衬底，所述衬底包括：叠层，包括：第一绝缘体上半导体晶片，具有第一半导体层、第二半导体层和它们之间的第一绝缘层，所述第一半导体层具有第一表面取向，所述第二半导体层具有第二表面取向；至少一个第二绝缘体上半导体晶片，具有第三半导体层、第四半导体层和它们之间的第二绝缘层，所述第三半导体层具有第三表面取向，所述第四半导体层具有第四表面取向；和在所述第一绝缘体上半导体晶片和所述至少一个第二绝缘体上半导体晶片之一之间的氧化的绝缘层；和所述叠层的末端，包括：包括所述第一半导体层的第一绝缘体上半导体晶片的第一绝缘体上半导体区；和至少一个第二区，所述第二区包括以下之一：体半导体区，延伸通过所述叠层的所有绝缘层，所述体半导体区具有与所述第一绝缘体上半导体区的第一半导体层的厚度不同的厚度；和第二绝缘体上半导体区，所述第二绝缘体上半导体区具有与所述第一半导体层的厚度不同的半导体厚度和与所述第一半导体层不同的表面取向中的至少之一，其中所述第一、第二、第三和第四表面取向中的至少一个与其他的表面取向不同。