[发明专利]被处理体的取出方法、程序存储介质及载置机构有效
| 申请号： | 200610149470.X | 申请日： | 2006-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1971870A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 铃木胜 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B23Q3/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种被处理体的取出方法，用于将真空吸附在载置台上的上述被处理体取出，其中，上述载置台具有在其上多处开口的多个气体流路，上述被处理体的取出方法包括：(a)通过上述多个气体流路关闭用于真空吸附上述被处理体的真空的工序；(b)利用被处理体抬起单元将上述被处理体从上述载置台抬起的工序；和(c)在工序(b)中，从上述多个气体流路中的至少一个向上述载置台与上述被处理体之间供给气体的工序。此外，本发明还提供一种存储有用于运行上述取出方法的计算机可执行程序的程序存储介质。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 取出 方法 程序 存储 介质 机构 | ||
【主权项】：
1.一种被处理体的取出方法，用于将真空吸附在载置台上的所述被处理体取出，其中，所述载置台具有在其上多处开口的多个气体流路，所述被处理体的取出方法的特征在于，包括下述工序：(a)在所述多个气体流路中关闭真空的工序，其中，该真空用于真空吸附所述被处理体；(b)用被处理体抬起单元将所述被处理体从所述载置台抬起的工序；和(c)在工序(b)中，从所述多个气体流路中的至少一个向所述载置台与所述被处理体之间供给气体的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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