[发明专利]光掩模的判定方法以及半导体器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200610149472.9 申请日: 2006-11-21
公开(公告)号: CN1971427A 公开(公告)日: 2007-05-30
发明(设计)人: 小谷敏也;福原和也;出羽恭子 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 李峥;于静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种光掩模的判定方法,其包括:规定第1曝光装置用的光掩模的掩模图案的工序;规定能够设定在第2曝光装置的多个曝光条件的工序;对于所述多个曝光条件的每一个,预测通过所述第2曝光装置投影到基板上的所述掩模图案的投影像的工序;对于所述多个曝光条件的每一个,预测基于所述投影像形成在基板表面的加工图案的工序;对于所述多个曝光条件的每一个,判断所述加工图案是否满足规定的条件的工序;在对于至少一个所述曝光条件所述加工图案满足规定条件的情况下,判断为能够把所述光掩模用于所述第2曝光装置的工序。
搜索关键词: 光掩模 判定 方法 以及 半导体器件 制造
【主权项】:
1.一种光掩模的判定方法,包括:规定第1曝光装置用的光掩模的掩模图案的工序;规定能够设定在第2曝光装置的多个曝光条件的工序;对于所述多个曝光条件的每一个,预测通过所述第2曝光装置投影到基板上的所述掩模图案的投影像的工序;对于所述多个曝光条件的每一个,预测基于所述投影像形成在基板表面的加工图案的工序;对于所述多个曝光条件的每一个,判断所述加工图案是否满足规定的条件的工序;在对于至少一个所述曝光条件所述加工图案满足规定条件的情况下,判断为能够把所述光掩模用于所述第2曝光装置的工序。
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