[发明专利]微电子器件和制造微电子器件的方法无效
| 申请号： | 200610149505.X | 申请日： | 2006-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1949541A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | R·斯托默;M·斯特拉塞 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L29/92;H01L29/94;H01L27/02;H01L27/108;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/02;H01L21/82;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种包括衬底和晶体管的微电子器件。该晶体管包括衬底中的沟道区、沟道区中的凹槽、第一电介质层和第二电介质层。第一电介质层包括第一电介质材料并沉积在凹槽的底部。第二电介质层包括第二电介质材料并沉积在凹槽的侧壁上。第一电介质材料的介电常数高于第二电介质材料的介电常数。栅电极位于凹槽中并通过第一和第二电介质层与沟道区电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有衬底和晶体管的微电子器件，该晶体管包括：衬底中的沟道区；沟道区中的凹槽；沉积在凹槽底部的第一电介质层，第一电介质层包括第一电介质材料；沉积在凹槽侧壁上的第二电介质层，第二电介质层包括第二电介质材料；以及位于凹槽中并通过第一和第二电介质层与沟道区电绝缘的栅电极，其中第一电介质材料的介电常数高于第二电介质材料的介电常数。
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