[发明专利]具有双栅结构的半导体器件的制造方法

摘要

提供了一种用于制造具有双栅结构的半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底之上形成栅氧化物层；在栅氧化物层之上形成栅导电层；在栅导电层之上形成无定形碳层；在无定形碳层之上形成感光图案；使用感光图案作为蚀刻掩膜来蚀刻无定形碳层，以形成图案化的无定形碳层；使用图案化的无定形碳层作为离子注入阻挡来执行第一离子注入工艺，以使杂质注入于栅导电层上；去除图案化的无定形碳层；以及图案化栅导电层，以形成栅结构。

主权项

1. 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底之上形成栅电介质层；在所述栅电介质层之上形成栅导电层，所述栅导电层有第一和第二部分；在所述栅导电层之上形成无定形碳层；在所述无定形碳层之上形成图案化的感光层，所述图案化的感光层暴露所述无定形碳层的第一部分，所述无定形碳层的第二部分被所述图案化的感光层覆盖；使用所述图案化的感光层作为蚀刻掩膜来蚀刻所述无定形碳层，以形成图案化的无定形碳层；使用至少所述图案化的无定形碳层作为离子注入阻挡来执行第一离子注入工艺，以使第一类型的杂质注入于所述栅导电层的第一部分上；去除所述图案化的无定形碳层；以及将所述栅导电层图案化，以形成栅结构。