[发明专利]一种TFT LCD阵列基板结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610149884.2 申请日: 2006-10-27
公开(公告)号: CN1945840A 公开(公告)日: 2007-04-11
发明(设计)人: 明星;张弥 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘芳
地址: 100016*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种TFT LCD阵列基板结构,包括基板;栅极扫描线;挡光条;栅电极绝缘层;数据扫描线;薄膜晶体管;钝化层及薄膜晶体管的漏电极之上形成钝化层过孔或沟槽;像素电极,形成在钝化层上,并通过钝化层过孔或沟槽与薄膜晶体管的漏电极连接;其中,挡光条位于像素电极的周边。本发明同时提供一种TFT LCD阵列基板结构的制造方法,其在形成栅极扫描线的同时,在像素电极周边形成闭合型挡关条。本发明能够增大像素电极的开口率;提高存储电容的面积,降低跳变电压和给出一个比较简单的像素亮点的维修方式。
搜索关键词: 一种 tft lcd 阵列 板结 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种TFT LCD阵列基板结构,其特征在于,包括:一基板;一栅极扫描线,形成在所述基板之上;一挡光条,形成在所述基板之上;一栅电极绝缘层,形成在所述栅极扫描线及挡光条和基板之上;一数据扫描线,形成在所述栅电极绝缘层之上;一薄膜晶体管,形成在所述栅极扫描线之上;一钝化层,形成在所述栅电极绝缘层、数据扫描线及薄膜晶体管之上,并在所述薄膜晶体管漏电极之上形成钝化层过孔或沟槽;一像素电极,形成在所述钝化层上,并通过所述钝化层过孔或沟槽与所述薄膜晶体管的漏电极连接;其中,所述的挡光条位于像素电极的周边。
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