[发明专利]一种TFT LCD阵列基板结构及其制造方法有效
申请号: | 200610149884.2 | 申请日: | 2006-10-27 |
公开(公告)号: | CN1945840A | 公开(公告)日: | 2007-04-11 |
发明(设计)人: | 明星;张弥 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100016*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种TFT LCD阵列基板结构,包括基板;栅极扫描线;挡光条;栅电极绝缘层;数据扫描线;薄膜晶体管;钝化层及薄膜晶体管的漏电极之上形成钝化层过孔或沟槽;像素电极,形成在钝化层上,并通过钝化层过孔或沟槽与薄膜晶体管的漏电极连接;其中,挡光条位于像素电极的周边。本发明同时提供一种TFT LCD阵列基板结构的制造方法,其在形成栅极扫描线的同时,在像素电极周边形成闭合型挡关条。本发明能够增大像素电极的开口率;提高存储电容的面积,降低跳变电压和给出一个比较简单的像素亮点的维修方式。 | ||
搜索关键词: | 一种 tft lcd 阵列 板结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种TFT LCD阵列基板结构,其特征在于,包括:一基板;一栅极扫描线,形成在所述基板之上;一挡光条,形成在所述基板之上;一栅电极绝缘层,形成在所述栅极扫描线及挡光条和基板之上;一数据扫描线,形成在所述栅电极绝缘层之上;一薄膜晶体管,形成在所述栅极扫描线之上;一钝化层,形成在所述栅电极绝缘层、数据扫描线及薄膜晶体管之上,并在所述薄膜晶体管漏电极之上形成钝化层过孔或沟槽;一像素电极,形成在所述钝化层上,并通过所述钝化层过孔或沟槽与所述薄膜晶体管的漏电极连接;其中,所述的挡光条位于像素电极的周边。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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