[发明专利]光电转换装置及其光电转换元件有效
| 申请号： | 200610149963.3 | 申请日： | 2006-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101165924A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 洪传献;温志中;许国强;李慧平 | 申请（专利权）人： | 新日光能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种光电转换装置及其光电转换元件。一种光电转换元件是与一第一电极与一第二电极电性连接，该光电转换元件是包含一第一半导体层、一第二半导体层以及一金属层。其中，第二半导体层是与第一半导体层相连接，金属层是设置于第二半导体层的一侧，金属层是具有至少一第一沟槽与至少一第二沟槽，第一沟槽是将金属层区分为复数个区块，第二电极是设置于第二沟槽内。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 及其 元件 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换元件，其是与一第一电极与一第二电极电性连接，其特征在于包含：一第一半导体层；一第二半导体层，是与该第一半导体层相连接；以及一金属层，是设置于该第二半导体层的一侧，该金属层是具有至少一第一沟槽与至少一第二沟槽，该第一沟槽是将该金属层区分为复数个区块，该第二电极是设置于该第二沟槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
