[发明专利]增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置

摘要

本发明的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，增加静电荷的释放路径以增强晶粒抗反偏压静电损害能力，于检光器晶粒四周增加释放静电路径为P型金属层、降低电阻区、P型半导体区、i型光吸收层、N型缓冲层、N型基板、N型金属层，疏导大部分静电荷于晶粒四周释放，以避免大部分静电荷集中于晶粒中间贯穿而造成晶粒损害，达到增强晶粒抗反偏压静电损害能力。

主权项

1.一种增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，其特征在于，包括P型金属层、受光区、降低电阻区、介电层、N-型半导体层、P型半导体区、i型光吸收层、N型缓冲层、N型基板、N型金属层，其中，P型金属层，指反偏压负静电荷连接最上层金属层，位于晶柆表面中间及晶粒四周缘，P型金属层中具有受光区，于受光区周缘为降低电阻区，晶粒四周缘P型金属层下方为降低电阻区；降低电阻区下层为P型半导体区；介电层，为隔开元件，有绝缘功能，其上层为P型金属层，下层为N-型半导体层；N-型半导体层，其内有P- 扩散形成的P型半导体区，P型半导体区扩散于受光区下方及晶粒四周P型金属层下方；i型光吸收层，指产生光激电子—电洞对的空乏区，于i型光吸收层上层为N-型半导体层及P型半导体区，下层为N型缓冲层；N缓冲层，其上层为i型光吸收层，下层为N型基板；N型基板，指于基板上形成半导体，其上层为N型缓冲层，下层为N型金属层；N型金属层，指接地连接最下层金属层，于N型金属层上层为N型基板。