[发明专利]半导体元件的欧姆接触构造

摘要

本发明提供一种GaN－HEMT的欧姆接触构造，其具有第1欧姆电极(104)和第2欧姆电极(108)，该第1欧姆电极(104)和第2欧姆电极(108)被分别设置成：从第1主面向半导体主体内，在第1主电极区域(102)内和第2主电极区域(106)内穿过，到达比2维电子气层更深的位置，第1欧姆电极的第1侧面和与该第1侧面相对的第2欧姆电极的第2侧面是凹凸面，该凹凸面是由在这些第1和第2欧姆电极的厚度方向在该厚度范围延伸的凹部所形成的。由此可提高可靠性，降低欧姆接触电阻。

主权项

1.一种半导体元件的欧姆接触构造，其特征在于，在GaN-HEMT的欧姆接触构造中，具有：半导体主体；第1主电极区域和第2主电极区域，从该半导体主体的第1主面向该半导体主体内，彼此分开地设置；2维电子气层，在上述半导体主体内，连通该第1主电极区域和该第2主电极区域，并且形成在这两个主电极区域之间；以及第1欧姆电极和第2欧姆电极，分别设置成：从上述第1主面向上述半导体主体内，在上述第1主电极区域内和上述第2主电极区域内穿过，到达比上述2维电子气层更深的位置，上述第1欧姆电极的第1侧面和与该第1侧面相对的上述第2欧姆电极的第2侧面是凹凸面，该凹凸面是由在这些第1和第2欧姆电极的厚度方向在该厚度范围延伸的凹部所形成的。