[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 200610150466.5 | 申请日： | 2006-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1964091A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 高健维;朴英豪;闵垘基;朴亨镇;黄硕珉 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种抑制电流集中的高质量半导体发光器件。该半导体发光器件包括依次形成在衬底上的n型半导体层、有源层和p型半导体层。半导体发光器件还包括形成在p型半导体层上的p电极和形成在n型半导体层的台面蚀刻部分的表面上的n电极。在n型半导体层中形成沟槽以防止电流集中。沟槽以预定深度从n型半导体层的台面蚀刻部分的上表面或从衬底的下表面延伸至n型半导体层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：n型半导体层、有源层和p型半导体层，依次形成在衬底上；p电极，形成在所述p型半导体层上；以及n电极，形成在所述n型半导体层的台面蚀刻部分的上表面上，其中，所述n型半导体层具有形成在其中以防止电流集中的沟槽，并且其中，所述沟槽以预定深度从所述n型半导体层的上表面或从所述衬底的下表面延伸至所述n型半导体层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电机株式会社，未经三星电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610150466.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有冷却装置的电脑系统
- 下一篇：一种雪崩光电二极管接收机供电装置及方法
