[发明专利]制备氮化硅叠层的方法有效
| 申请号： | 200610150781.8 | 申请日： | 2006-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1962934A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | R·苏亚纳哈亚南·耶尔;萨恩吉夫·唐顿;康湛·张;鲁比·拉伯那;前田裕二 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/52;H01L21/205;H01L21/365 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于在半导体衬底上制备氮化硅叠层的方法的实施例。在一个实施例中，用于在半导体衬底上制备氮化硅叠层的方法包括：使用第一组工艺条件在所述衬底上沉积包括氮化硅的底部层，所述第一组工艺条件选择性地控制所述底部层的应力；以及使用第二组工艺条件沉积包括氮化硅的上部层，所述第二组工艺条件选择性地控制所述上部层的耐氧化性和折射率中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氮化 硅叠层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体衬底上制备氮化硅叠层的方法，包括：使用第一组工艺条件在所述衬底上沉积包括氮化硅的底部层，所述第一组工艺条件选择性地控制所述底部层的应力；以及使用第二组工艺条件沉积包括氮化硅的上部层，所述第二组工艺条件选择性地控制所述上部层的耐氧化性和折射率中的至少一个。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
