[发明专利]掺磷非晶金刚石薄膜电极及其制备方法无效
| 申请号： | 200610151049.2 | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1963484A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉琦;刘爱萍;韩杰才 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;H01L21/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 单军 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 掺磷非晶金刚石薄膜电极及其制备方法，它涉及一种非晶金刚石薄膜电极及其制备方法。它为了解决非晶金刚石薄膜导电性能差，内应力大，与基底粘结力差的问题。通过以下步骤实现：(一)基底清洗；(二)离子刻蚀；(三)通掺杂气体；(四)利用过滤阴极真空电弧沉积系统进行薄膜沉积；(五)导线连接；(六)电化学处理，得到掺磷非晶金刚石薄膜电极。掺磷非晶金刚石薄膜电极与MEMS体系相容，适于制成大面积电极用于污水处理，也适于制成微电极用于体内在线检测，并且具有经济、适用、易于产业化的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 掺磷非晶 金刚石 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、掺磷非晶金刚石薄膜电极，掺磷非晶金刚石薄膜电极包括基底、掺磷非晶金刚石薄膜和导线，其特征在于掺磷非晶金刚石薄膜按质量百分比由58.91～94.74％的碳、5.10～38.45％的磷和0.16～2.64％的氢制成。
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