[发明专利]制造包括绝缘薄板上的纳米结构的雾噪声标准件的方法无效
| 申请号： | 200610151323.6 | 申请日： | 2006-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1912602A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 埃马纽埃尔·诺洛 | 申请（专利权）人： | 原子能委员会 |
| 主分类号： | G01N21/93 | 分类号： | G01N21/93;G01B11/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造雾噪声标准件的方法，该雾噪声标准件分别具有绝缘薄层(102，202)和形成在绝缘薄层上的多个半球形纳米结构(114，116，214，216)，通过下列步骤来制造对应的标准件：借助于用于第一半导体材料的第一前体气体(104)通过化学沉积的方式，在至少一个绝缘层(102，202)上形成第一半导体材料的晶种(106，107)；借助于第二半导体材料的第二前体气体(110)通过化学沉积的方式，自第一半导体材料的稳定晶种，在所述绝缘层(102，202)上形成基于第二半导体材料的并且半球形式的纳米结构(114，116，2141，2142，2143，2144)的绝缘层(102，202)。本发明还涉及利用借助于该方法获得的标准件的校准方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 包括 绝缘 薄板 纳米 结构 噪声 标准件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种雾噪声标准件装置，包括：至少一个绝缘薄层；多个纳米结构，它们相应地具有半球或者外突的凸块形状，所述纳米结构规则地分布在所述绝缘层上。
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