[发明专利]电子组件和用于制造电子组件的方法无效
| 申请号： | 200610151324.0 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1901198A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 杰拉尔德·埃克斯坦;奥利弗·弗罗伊登伯格;冈特·米勒;迈克尔·希尔;斯蒂芬·沃思 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;李晓舒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造电子组件的方法和相应制造的电子组件。在此方面，在半导体衬底(10、10′)上构成用于形成电路的CMOS结构(20、20′)，并在构成CMOS结构(20、20′)之后在低温过程中、特别是在小于450℃的温度下将至少一个导电体(30、30′)装入半导体衬底(10、10′)的孔内，使半导体衬底(10、10′)的第一面(S1)和与第一面(S1)相对的第二面(S2)之间构成导电体(30、30′)用于连接电路。该电子组件可以紧密设置电子元件和检测器(80、80′)并特别适用于医疗技术装置。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 组件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制造电子组件的方法，其中：-在半导体衬底(10、10′)上构成用于形成电路的CMOS结构(20、20′)；-在构成CMOS结构(20、20′)之后在低温过程中、特别是在小于450℃的温度下将至少一个导电体(30、30′)装入半导体衬底(10、10′)的孔内，使半导体衬底(10、10′)的第一面(S1)和与第一面(S1)相对的第二面(S2)之间构成导电体(30、30′)用于连接电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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