[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610151362.6 | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1979870A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 大塚隆史;中林隆;柴田义行 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/102;H01L27/10;H01L27/00;H01L21/8242;H01L21/8222;H01L21/82;H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种具有可以抑制漏电流且可以维持高相对介电常数的MIM电容器的半导体装置及其制造方法。下部电极(16)中与电容绝缘膜(17)相接的上层是通过例如MOCVD法成膜的非晶质氮化钛膜(16B)。若在下部电极(16)上通过例如ALD法成膜作为电容绝缘膜(17)的HfOx膜，则由于基底是非晶质的氮化钛膜(16B)，所以，膜不会继承基底的结晶性而成膜为非晶质的电介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具备在基板上依次层叠了下部电极、电容绝缘膜以及上部电极而形成的电容器，所述下部电极具有第一导电层、和形成在所述第一导电层上且电阻率比所述第一导电层高的第二导电层；所述电容绝缘膜与所述下部电极中的所述第二导电层相接而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
