[发明专利]防止微粒附着装置和等离子体处理装置无效
申请号: | 200610151453.X | 申请日: | 2004-10-08 |
公开(公告)号: | CN1921068A | 公开(公告)日: | 2007-02-28 |
发明(设计)人: | 守屋刚;长池宏史;林辉幸;藤原馨 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065;H01L23/31;H01L21/67;C23C16/44;C23C14/22;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/46 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种防止微粒附着装置,为了防止在基板处理工序的装置内的微粒附着在基板上,在利用离子发生装置使微粒带电的同时,利用直流电源将与带电微粒同极性的直流电压施加在基板上。而且,在将气体导入基板处理工序的真空处理室的上下电极之间,将高频电压施加在上下电极上生成等离子体时,以多阶段顺序施加高频电压。即,在最初步骤中,将能够等离子体点火的最小限度的高频电压施加在上下电极上,生成最小限度等离子体,然后,分阶段地增加所施加电压,生成规定的等离子体。 | ||
搜索关键词: | 防止 微粒 附着 装置 等离子体 处理 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于:包括:放置由等离子体进行处理的部件的载置台;导入等离子体生成用的气体的气体导入部;和将等离子体生成用的电力供给所述气体的电力供给部;所述电力供给部,在最初将生成等离子体所需要的最小限度的电力供给所述气体,生成最小限度的等离子体,然后,增加所述电力,生成处理所述部件所需要的等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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