[发明专利]薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、以及使用薄膜晶体管的显示器无效
| 申请号： | 200610151501.5 | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1901231A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 中崎能彰;河内玄士朗;蕨迫光纪;松村正清 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供呈现出更高电子或空穴迁移率的薄膜晶体管(TFT)、用于制造该薄膜晶体管的方法以及使用该薄膜晶体管的显示器。因此，本发明提供一种薄膜晶体管，其在半导体薄膜(4a)中具有源极区(S)、沟道区(C)和漏极区(D)，该半导体薄膜(4a)具有沿水平方向生长晶体的结晶区，该薄膜晶体管在沟道区(C)上具有栅绝缘膜(11)和栅电极(12)，其中，将与沟道区(C)相邻的漏极区(D)的漏极边缘(10)形成在晶体生长结束位置(8)附近。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 以及 使用 显示器 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，其在半导体薄膜中具有源极区、沟道区和漏极区，该半导体薄膜具有晶体沿水平方向生长的结晶区，该薄膜晶体管在该沟道区上具有栅绝缘膜和栅电极，其特征在于：该漏极或源极区的沟道区侧边缘设置在该结晶区中不与晶体生长起始位置或垂直方向生长起始位置相对应的位置处。
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