[发明专利]低反射率的自发光单元显示器的像素单元结构有效
申请号: | 200610151537.3 | 申请日: | 2006-09-11 |
公开(公告)号: | CN1921141A | 公开(公告)日: | 2007-02-28 |
发明(设计)人: | 李重君 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H05B33/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种自发光单元显示器的像素结构,主要包括第一基板、暗色吸光结构、滤光层、驱动电路单元和自发光单元。暗色吸光结构与滤光层形成在第一基板上,并彼此相邻。驱动电路单元位于暗色吸光结构的上方,并为暗色吸光结构所遮蔽。自发光单元位于滤光层上,主要包括透光电极层、发光层和黑电极层。透光电极层位于滤光层上方,发光层和黑电极层则依次形成在透光电极层上。通过暗色吸光结构、滤光层和黑电极层的搭配设置,还可有效减少因外在环境光线入射而造成的反射光量,以达到增加对比的效果。 | ||
搜索关键词: | 反射率 发光 单元 显示器 像素 结构 | ||
【主权项】:
1、一种自发光单元显示器的像素单元结构,包括:第一基板;暗色吸光结构,形成在该第一基板上;滤光层,设置在该第一基板上,并邻近该暗色吸光结构;驱动电路单元,位于该暗色吸光结构的上方,该暗色吸光结构遮蔽该薄膜晶体管在该第一基板上的垂直投影;和自发光单元,包括:透光电极层,位于该滤光层上方,其中该透光电极层具光穿透性;发光层,形成在该透光电极层上;和黑电极层,形成在该发光层上,其中该黑电极层具有光吸收性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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