[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备无效
| 申请号： | 200610151703.X | 申请日： | 1997-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1937192A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 桥元伸晃 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768;H01L23/485;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 封装尺寸为接近芯片尺寸，除所谓应力缓冲层之外，能有效地吸收热应力的半导体装置。半导体装置(150)具有：有电极(158)的半导体芯片、设置于半导体芯片的上边用作应力缓冲层的树脂层(152)、从电极(158)直到树脂层(152)的上边所形成的布线(154)以及在树脂层(152)的上方在布线(154)上形成的焊料球(157)，还形成树脂层(152)使得在表面上具有凹部(152a)，并且经过凹部(152a)形成布线(154)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 路基 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征是，具有：准备已形成电极的圆片的工序；避开上述电极的至少一部分，在上述圆片上设置应力缓冲层的工序；从上述电极直到上述应力缓冲层的上边，形成导通部的工序；在上述应力缓冲层的上方，形成与上述导通部连接的外部电极的工序；以及将上述圆片切断成各个小片的工序，在上述应力缓冲层上的平面方向使上述导通部弯曲形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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