[发明专利]用于磁场探测的纳米结构磁阻网络和相应的方法无效

专利信息
申请号: 200610151711.4 申请日: 2006-08-30
公开(公告)号: CN1955755A 公开(公告)日: 2007-05-02
发明(设计)人: D·普利尼;A·罗托洛 申请(专利权)人: C.R.F.阿西安尼顾问公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯;张志醒
地址: 意大利奥*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要: 在此描述了一种对包含多个磁阻元件(10;20;30)的类型的磁场(Hext,Hp)进行响应的磁阻网络。按照本发明,一个或多个磁阻元件(10;20;30)包含至少一个纳米压缩(10;20;30)形式的磁阻元件,所述纳米压缩(10;20;30)包含由磁性材料制成的至少两个垫片(12,13;22,23),与所述磁性材料相关联的至少两个垫片(12,13;22,23)在基本上彼此相反的方向上分别被定向磁化(16,17;M1,M2)并且通过纳米通道(11;21)被连接,所述纳米通道(11;21)能够设立畴壁(15;25),所述畴壁(15;25)确定作为在所述传感器装置中形成的所述畴壁(15;25)相对于所述纳米通道(11;21)的位置的函数的所述纳米压缩(10;20;30)的电阻(R)。
搜索关键词: 用于 磁场 探测 纳米 结构 磁阻 网络 相应 方法
【主权项】:
1.一种对包含多个磁阻元件(10;20;30)的类型的磁场(Hext,Hp)进行响应的磁阻网络,其特征在于,所述一个或多个磁阻元件(10;20;30)包含至少一个纳米压缩(10;20;30)形式的磁阻元件,所述纳米压缩(10;20;30)包含由磁性材料制成的至少两个垫片(12,13;22,23),与之相关的是在基本上彼此相反的方向上定向的并通过纳米通道(11;21)连接的相应的磁化(16,17;M1,M2),所述纳米通道(11;21)能够设立畴壁(15;25),所述畴壁(15;25)确定作为在所述传感器装置中形成的所述畴壁(15;25)相对于所述纳米通道(11;21)的位置的函数的所述纳米压缩(10;20;30)的电阻(R)。
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