[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610151769.9 | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101047183A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 松浦修武 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L27/02;H01L21/02;H01L21/82;H01L21/8239;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。其中在制造该半导体器件的步骤中，在形成铁电电容结构时，在电容膜上顺序形成作为上电极层的成分的IrO2膜和IrOx膜。在O2气氛下，通过在600℃到750℃(在此情况下为725℃)下进行RTA处理约1分钟，仅氧化IrOx膜的表面层，并形成与IrOx膜的其它部分相比氧化度更高的高度氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；和电容结构，其形成在所述半导体衬底上，并通过将由介电材料构成的电容膜夹在下电极和上电极之间而形成，其中，所述上电极具有氧化铱膜，以及所述氧化铱膜的表面层为高度氧化层，所述高度氧化层的铱氧化度高于紧接在所述表面层下方的部分的铱氧化度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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