[发明专利]可除去聚合物阻挡层的抛光浆液有效
| 申请号： | 200610151796.6 | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1927975A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | T·M·托马斯;叶倩萩 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/16;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用来对具有铜互连的半导体基片进行化学机械抛光的水性浆液。所述水性浆液包含0.01－25重量％的氧化剂、0.1－50重量％的磨粒、0.001－3重量％的聚乙烯吡咯烷酮、0.01－10重量％的用来减少对铜互连的静态蚀刻的抑制剂、0.001－5重量％的用来增大铜互连的去除速率的含磷化合物、0.001－10重量％的在抛光过程中形成的络合剂和余量的水；所述水性浆液的pH值至少等于8。 | ||
| 搜索关键词： | 除去 聚合物 阻挡 抛光 浆液 | ||
【主权项】：
1.一种用来对具有铜互连的半导体基片进行化学机械抛光的水性浆液，所述浆液包含0.01-25重量％的氧化剂、0.1-50重量％的磨粒、0.001-3重量％的聚乙烯吡咯烷酮、0.01-10重量％的用来减少对铜互连的静态蚀刻的抑制剂、0.001-5重量％的用来增大铜互连的去除速率的含磷化合物、0.001-10重量％的在抛光过程中形成的络合剂和余量的水；所述水性浆液的pH值至少等于8。
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