[发明专利]磁头及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610151882.7 申请日: 2006-09-13
公开(公告)号: CN1932977A 公开(公告)日: 2007-03-21
发明(设计)人: 江藤公俊;武井久子;栗田昌幸;熊沢祐次 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/31 分类号: G11B5/31
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 李涛;钟强
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 减小由线圈电流和静态温度引起的垂直写磁头的TPR。具有低热膨胀系数和高加工性的SiO2被用作线圈绝缘体13。SiO2被布置在离开磁头的空气支承面的位置,以及该空气支承面由氧化铝制成,使浮动块处理容易。
搜索关键词: 磁头 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁头,包括:读磁头,具有底层磁屏蔽、上层磁屏蔽以及所述底层磁屏蔽和所述上层磁屏蔽之间插入的磁阻效应装置;以及写磁头,具有返回磁极、主磁极和横过所述返回磁极和所述主磁极形成的磁路的线圈,其中用于使所述线圈绝缘的线圈绝缘体是SiO2、Si氮化物或Si氧化物,以及所述线圈绝缘体被布置在离开所述磁头的空气支承面的位置,以及所述空气支承面由氧化铝制成。
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