[发明专利]纳米吸气剂制备方法无效
| 申请号： | 200610152030.X | 申请日： | 2006-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1915798A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 孙道恒;陈松平 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 纳米吸气剂制备方法，涉及一种吸气剂，尤其是涉及一种纳米吸气剂制备方法。提供一种表面积与体积比率高，吸附作用强，可沉积多种合金薄膜，制备工艺成熟的纳米吸气剂制备方法。其步骤为：采用化学气相沉积法在硅基上生长碳纳米管：先将溅射有催化剂的基底硅片样品放入石英管中抽真空，通保护气Ar+H2，炉内加热，关闭Ar+H2，通CH4，反应结束关闭CH4，在Ar+H2的保护下冷却取出样品；在碳纳米管上均匀涂布Ti金属以增强吸气剂的化学吸附作用。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 吸气 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.纳米吸气剂制备方法，其特征在于其步骤为：1)采用化学气相沉积法在硅基上生长碳纳米管：先将溅射有催化剂的基底硅片样品放入石英管中，并抽真空至100～250Torr，通25～200sccm的保护气Ar+H2至0.8～1.2atm，将炉内加热到850～1100℃，维持这个炉温，关闭Ar+H2，接着持续通25～200sccm的CH45～30min，反应结束，关闭CH4，在Ar+H2的保护下冷却至50～300℃，取出样品；2)在碳纳米管上均匀涂布厚度为10～50nmTi膜金属。
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