[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括光电二极管、转移晶体管、复位晶体管、激励晶体管、和选择晶体管。器件隔离层形成在第一导电型衬底上。转移晶体管、复位晶体管、激励晶体管、和选择晶体管的栅电极形成在衬底的有源区上，在这些栅电极之间设有栅极绝缘层。第一扩散区在有源区的第一区中由第二导电型形成，其中，第一区不包括转移晶体管和复位晶体管之间的浮动扩散区和光电二极管区。第二扩散区以低于第二导电型第一扩散区浓度的浓度在浮动扩散区中由第二导电型形成。

主权项

1.一种具有光电二极管、转移晶体管、复位晶体管、激励晶体管、和选择晶体管的CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器包括：器件隔离层，形成在第一导电型衬底的器件隔离区上，在所述第一导电型衬底中限定了有源区和所述器件隔离区；所述转移晶体管、所述复位晶体管、所述激励晶体管、和所述选择晶体管的栅电极，形成在所述有源区上，在这些栅电极之间设有栅极绝缘层；第一扩散区，在所述有源区的第一区中由第二导电型形成；以及第二扩散区，在所述转移晶体管和所述复位晶体管之间的浮动扩散区中由第二导电型形成，其中所述第二扩散区具有低于第一扩散区浓度的浓度。