[发明专利]具有优化的边缘结构的DMOS晶体管有效
| 申请号： | 200610153123.4 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1979897A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·迪茨;米夏埃多·格拉夫;斯特凡·施万特斯 | 申请（专利权）人： | ATMEL德国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国海*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明说明了一种横向DMOS晶体管(10)，具有一个第一导电类型的第一区域(12)，该第一区域被一个第二导电类型的第二区域(14)在侧面围绕，其中在两个区域(12，14)之间的一个边界线(16)具有彼此相对的直的区段(16.1)以及将这些直的区段(16.1)相连接的、至少部分弯曲的区段(16.2)，该DMOS晶体管(10)还具有一个用作场区的第一介电结构(20)，该第一介电结构被嵌入该第一区域(12)中并且围绕该第一区域的一个部分区域(22)。该晶体管(10)的特征在于，该第一介电结构和该边界线之间的一个第一距离(d1)沿着这些直的区段(16.1)比沿着这些弯曲的区段(16.2)大。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优化 边缘 结构 dmos 晶体管 | ||
【主权项】：
1.横向DMOS晶体管(10)，具有一个第一导电类型的第一区域(12)，该第一区域被一个第二导电类型的第二区域(14)在侧面围绕，其中在两个区域(12，14)之间的一个边界线(16)具有彼此相对的直的区段(16.1)以及将这些直的区段(16.1)相连接的、至少部分弯曲的区段(16.2)，该DMOS晶体管(10)还具有一个用作场区的第一介电结构(20)，该第一介电结构被嵌入该第一区域(12)中并且围绕该第一区域的一个部分区域(22)，其特征在于，该第一介电结构(20)和该边界线(16)之间的一个第一距离(d1)沿着这些直的区段(16.1)比沿着这些弯曲的区段(16.2)大。
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