[发明专利]半导体激光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610153128.7 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1979982A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 鹿岛孝之;牧田幸治;吉川兼司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/16 | 分类号： | H01S5/16;H01S5/22;H01S5/34;H01S5/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体激光元件，包括：第1导电型的半导体基板(1)；第1导电型的包覆层(3)，设置在半导体基板上；活性层(4)，设置在第1导电型的包覆层上；第2导电型的第1包覆层(5)，设置在活性层上；第2导电型的第2包覆层(7)，设置在第1包覆层上，形成沿谐振器方向延长的脊状波导；第2导电型的接触层(9)，设置在第2导电型的第2包覆层上；端面窗结构(11)，杂质扩散到谐振器方向的端面部的活性层区域，能带间隙比作为该端面部以外的部分的增益区域扩大；在第2导电型的包覆层中，与端面窗结构的区域的杂质浓度相比，增益区域的杂质浓度相同或更大。形成折射率变化小的端面窗结构，电阻比以往高，抑制向谐振器方向的Zn扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件，其特征在于，包括：第1导电型的半导体基板；第1导电型的包覆层，设置在上述半导体基板上；活性层，具有设置在上述第1导电型的包覆层上的多重量子阱结构；第2导电型的第1包覆层，设置在上述活性层上；第2导电型的第2包覆层，设置在上述第1包覆层上，形成沿谐振器方向延长的脊状波导；第2导电型的接触层，设置在上述第2导电型的第2包覆层上；以及端面窗结构，杂质扩散到谐振器方向的端面部的活性层区域中，从而与作为该端面部以外的部分的增益区域相比较，能带间隙扩大；在上述第2导电型的包覆层中，与上述端面窗结构的区域的杂质浓度相比较，上述增益区域的杂质浓度相同或更大。
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