[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610153136.1 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1983572A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 齐藤博;铃木利尚;榊原慎吾 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L21/50;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，其具有表面具有中空的空洞部的基板、搭载在所述基板的空洞部中的半导体芯片、具有与所述基板相对且覆盖所述空洞部的大致板状的顶板部和从所述顶板部的周缘向所述基板突出并卡合在所述基板的侧面上的至少一对侧壁部的盖体，基板和盖体准确地定位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：表面具有中空的空洞部的基板；搭载在所述基板的空洞部上的半导体芯片；盖体，所述盖体具有与所述基板相对并覆盖所述空洞部的大致板状的顶板部和从所述顶板部的周缘向所述基板突出并卡合在所述基板的侧面上的至少一对的侧壁部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于雅马哈株式会社，未经雅马哈株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610153136.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗阳痿早泄的中成药及加工方法
- 下一篇：纳米陶瓷的水基凝胶注模成型方法
