[发明专利]氮化物半导体激光器元件及其制作方法有效
| 申请号： | 200610153153.5 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1979984A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 近江晋;高谷邦启;山下文雄;种谷元隆 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/02;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在衬底上形成的氮化物半导体分层部分上，以此顺序形成绝缘膜和p侧电极。此外，在p侧电极之上、将发生解理的位置周围形成端部电极保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体激光器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体激光器元件，包括：衬底；氮化物半导体分层部分，具有在衬底上依次放置的多个氮化物半导体层，并且具有设置在其中的脊形条形波导；绝缘层，在氮化物半导体分层部分上形成，并且在波导上方具有开口；第一电极，设置在波导和绝缘层之上；以及腔端面，与波导的长度方向垂直，其中，在第一电极之上设置了端部电极保护层，其端面与腔端面齐平。
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