[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610153413.9 | 申请日： | 2006-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1956223A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 濑部绍夫;粉谷直树;竹冈慎治;冈崎玄;平濑顺司;相田和彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：通过在防止接触不良的同时，利用应力膜向沟道形成区域有效地施加应力，来谋求提高MISFET的驱动力。在形成在半导体衬底(1)上的MISFET的栅极电极部(20n)及(20p)的侧面上形成有绝缘性侧壁(9)。栅极电极部(20n)及(20p)的高度低于设置在各自的侧面上的侧壁(9)的上端。在MISFET上形成有覆盖栅极电极部(20n)及(20p)的、让应力产生在沟道形成区域的应力膜(13)。应力膜(13)中的形成在栅极电极部(20n)及(20p)上的部分的厚度厚于其它部分的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具有形成在半导体衬底的第一区域中的第一导电型第一金属绝缘体半导体场效应晶体管，上述第一金属绝缘体半导体场效应晶体管，包括：第一栅极绝缘膜，形成在上述第一区域上；第一栅极电极部，形成在上述第一栅极绝缘膜上；第一绝缘性侧壁，形成在上述第一栅极电极部的侧面上；第一源极/漏极区域，形成在上述第一区域的上述第一绝缘性侧壁的侧方；以及第一应力膜，形成为覆盖上述第一栅极电极部上及上述第一源极/漏极区域上，其特征在于：上述第一栅极电极部的上表面形成为低于上述第一绝缘性侧壁的上端；上述第一应力膜中的形成在上述第一栅极电极部上的第一部分的厚度厚于上述第一应力膜中的形成在上述第一源极/漏极区域上的第二部分的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610153413.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：便携式终端和滑动型支架
- 下一篇：采用防脱位的颈部椎间假体和器械
- 同类专利
- 专利分类
