[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 200610153433.6 | 申请日: | 2006-05-26 |
公开(公告)号: | CN1911779A | 公开(公告)日: | 2007-02-14 |
发明(设计)人: | 泉小波;山口真弓 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 微机器所包括的微结构和半导体元件通常在不同的步骤中形成。本发明的目的是提供一种微机器的制造方法,其中该微结构和半导体元件形成在一个绝缘衬底上。本发明的特征在于微机器包括包含多晶硅的可移动层和在该层的下面或上面的间隔,该可移动层使用金属通过热结晶或激光结晶。该多晶硅具有高强度并形成在绝缘表面之上,使得它用作微结构和用于形成半导体元件。因此,可形成其中在一个绝缘衬底上形成微结构和半导体元件的半导体器件。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:衬底上的包括半导体元件的电路;和衬底上的微结构,其中该微结构包括使用金属通过热结晶或激光结晶而结晶的包含多晶硅的可移动层。
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