[发明专利]改进的三维存储器有效
| 申请号： | 200610153561.0 | 申请日： | 2002-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1967722A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | G11C17/12 | 分类号： | G11C17/12;H01L27/112 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于nF开口的三维掩膜编程存储器(3D－MPROM)，其信息开口的尺寸大于其地址线的线宽。由于使用具有较低成本的nF开口掩模版来定义其所存的数据，该3D－MPROM成本较低。本发明还提出一种改进的3D－MPROM，它的至少部分地址线由掺杂的半导体材料构成，且不含金属膜、合金膜或金属化合物膜。该3D－MPROM具有较好的可制造性。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 三维 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种含有多个存储层的三维掩膜编程只读存储器(3D-MPROM)，其存储层的特征在于含有：多条具有第一线宽的第一地址选择线；一位于该第一地址选择线上方的阻挡介质膜；以及多条位于该阻挡介质膜上方、且具有第二线宽的第二地址选择线；位于所述第一和第二地址选择线交叉处的第一和第二存储元，在该第一存储元处，该阻挡介质膜中具有信息开口，所述信息开口的尺寸大于该第一或第二线宽；在该第二存储元处，该阻挡介质膜不具有信息开口。
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