[发明专利]静电吸盘、薄膜制造设备及制造方法和衬底表面处理方法

摘要

已经产生困难，即，在催化化学汽相淀积设备中设置具有氧化层作为介电层的静电吸盘的条件下，当在由静电吸盘支撑的工件上重复淀积硅薄膜时，静电吸盘的吸附能力逐渐降低，并且最终吸盘根本不吸附衬底。因此，用包含氮化硅或氧化硅的绝缘膜覆盖静电吸盘表面上的介电层。这样，由于可以防止对吸盘表面的损伤，该损伤是由于在通过催化化学汽相淀积设备淀积硅膜过程中产生的氢原子团导致的，因此即使重复淀积硅膜，吸附衬底的能力也不降低，由此在硅膜的淀积过程中稳定了衬底温度。

主权项

1、一种用于在包含氢的原子团气氛中吸附衬底的静电吸盘，该吸盘包括：包含氧化物的介电层，和用于覆盖介电层的绝缘膜，其中绝缘膜包含氧化硅和氮化硅中的至少一种。